TP65H050WS / TP65H035WS ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ (ಜನ್ III) ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ (GaN) ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು (FET ಗಳು)

ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮ್‌ನ ಗಾನ್ ಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪವನ್ನು (ಇಎಂಐ) ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು ಶಬ್ದ ನಿರೋಧಕ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಮೂಲಕ ನಿಶ್ಯಬ್ದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತವೆ

ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮ್‌ನ TP65H050WS ಮತ್ತು TP65H035WS ಗಳು Gen III 650 V GaN FET ಗಳು. ಅವು ಕಡಿಮೆ ಇಎಂಐ, ಹೆಚ್ಚಿದ ಗೇಟ್ ಶಬ್ದ ನಿರೋಧಕ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಹೆಡ್‌ರೂಮ್ ಅನ್ನು ನೀಡುತ್ತವೆ. 50 mΩ TP65H050WS ಮತ್ತು 35 mΩ TP65H035WS ಪ್ರಮಾಣಿತ TO-247 ಪ್ಯಾಕೇಜ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿದೆ.

MOSFET ಮತ್ತು ವಿನ್ಯಾಸ ಮಾರ್ಪಾಡುಗಳು 2.1 V (Gen II) ನಿಂದ 4 V ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿದ ಮಿತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಶಬ್ದ ವಿನಾಯಿತಿ) ಯನ್ನು ತಲುಪಿಸಲು Gen III ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಶಕ್ತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು negative ಣಾತ್ಮಕ ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್‌ನ ಅಗತ್ಯವನ್ನು ನಿವಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಗೇಟ್ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ ಜನ್ II ​​ರಿಂದ ಗರಿಷ್ಠ% 20 ವಿ ವರೆಗೆ 11% ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ. ಇದು ನಿಶ್ಯಬ್ದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ಲಾಟ್‌ಫಾರ್ಮ್ ಸರಳ ಬಾಹ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿಯೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಸುಧಾರಣೆಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ.

ಸೀಸೋನಿಕ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಕಂಪನಿಯ 1600 ಟಿ 1600 W, ಸೇತುವೆಯಿಲ್ಲದ ಟೋಟೆಮ್-ಪೋಲ್ ಪ್ಲಾಟ್‌ಫಾರ್ಮ್ ಆಗಿದ್ದು, ಬ್ಯಾಟರಿ ಚಾರ್ಜರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ (ಇ-ಸ್ಕೂಟರ್, ಕೈಗಾರಿಕಾ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನವು), ಪಿಸಿ ಪವರ್, ಸರ್ವರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ 99% ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ (ಪಿಎಫ್‌ಸಿ) ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ತರಲು ಈ ಹೈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗಾನ್ ಎಫ್‌ಇಟಿಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. , ಮತ್ತು ಗೇಮಿಂಗ್ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಗಳು. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ ಪ್ಲಾಟ್‌ಫಾರ್ಮ್ 1600 ಟಿ ಯೊಂದಿಗೆ ಈ ಎಫ್‌ಇಟಿಗಳನ್ನು ಬಳಸುವುದರ ಪ್ರಯೋಜನಗಳು 2% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿದ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು 20% ರಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿಸಿವೆ.

1600 ಟಿ ಪ್ಲಾಟ್‌ಫಾರ್ಮ್ ಹಾರ್ಡ್ ಮತ್ತು ಸಾಫ್ಟ್-ಸ್ವಿಚ್ಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮ್‌ನ ಟಿಪಿ 65 ಹೆಚ್ 035 ಡಬ್ಲ್ಯೂಎಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪವರ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುವಾಗ ಬಳಕೆದಾರರಿಗೆ ಆಯ್ಕೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ವಿನ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಸರಳೀಕರಿಸಲು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವರ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ TP65H035WS ಜೋಡಿಗಳು.